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P3520系列
为主流用户带来卓越PCIe*性能 高密度英特尔®3D NAND固态盘助力实现最高价值 集出色的数据完整性、硬盘可靠性及性能一致性于一身
主要特点
为主流用户带来卓越PCIe*性能
高密度英特尔®3D NAND固态盘助力实现最高价值
集出色的数据完整性、硬盘可靠性及性能一致性于一身
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    英特尔® 数据中心级固态盘 P3520 系列可充分利用英特尔® 3D NAND 固态盘,支持数 

    据中心推出新服务、降低成本,同时提高服务质量,从而轻松应对顶级数据中心客户的挑战。

    英特尔® 3D NAND 固态盘

    数据中心级固态盘 P3520 系列是英特尔® 3D NAND 固态盘产品家族的一部分。凭借颠覆性的 3D N AND 技术,以及多年来累积的经验和声誉,英特尔® 3D NAND 固态盘将彻底颠覆存储的经济性。

    下一代固态盘性能

    作为英特尔推出的最新的固态存储解决方案,英特尔® 数据中心级固态盘 P3520 系列可提供出色的 PCIe* 性能,是处理读取密集型工作负载的理想选择。数据爆炸式增长彻底改变了当前的存储趋势。DC P3520 系列支持您以经济高效的方式将存储解决方案从 SATA 固态盘和机械硬盘迁移至下一代高性能 PCIe 技术。将存储平台迁移至 DC P3520 系列可为您带来两大方面的显著优势:为当今客户提供经济高效的性能,同时为将来保持竞争优势做好准备。

    高性能,低成本

    面向 PCIe* 的英特尔® 固态盘 DC 产品家族具有始终如一的卓越性能表现,可直接向处理器(比如英特尔® 至强® 处理器)快速提供数据流,从而支持高效传输服务器数据。DC P3520 系列利用 NVMe* 规范的低延迟和高带宽,可将 SATA 性能提升高达 4.7 倍。相比 10K 机械硬盘,DC P3520 系列可将随机读取速度、随机写入速度、顺序读取速度和顺序写入速度分别提升高达 359 倍、67 倍、10.3 倍和 5 倍。NVMe 有助于显著提升计算能力和性能;为将来的数据中心奠定坚实的基础。英特尔® DC P3520 系列的成本结构具有无与伦比的性价比优势,面向读取密集型工作负载优化后,每一美元都可实现最佳 IOPS 价值。提供 450GB、1.2TB、2TB 三种容量选择 – DC P3520 系列面向高密度数据中心/ 企业配置优化,可满足当前及未来的数据存储需求。


    面向全新设计或升级现有系统

    英特尔兼容性验证团队和强大的 PCIe 合规性计划,确保 DC P3520 系列具备广泛的兼容性。DC P3320 系列支持主流操作系统, 能够快速集成至新的设计,而且现有系统也可轻松升级。PCIe 使用行业标准的软件和驱动程序适用于 U.2 2.5 英寸外形,密度从 450GB 到 2TB 不等容量为 1.2TB 和 2TB 的行业标准 PCIe 3.0 x4 半高半长(HHHL)插卡(AIC)

    具备出色完整性的固态盘

    与所有英特尔数据中心级固态盘产品家族一样,这些解决方案均经过精心设计,拥有并支持英特尔的独特优势:行业认证的创新领导地位完整的产品生命周期支持,有助于推动解决方案就绪型生态系统和平台专家售后支持无与伦比的供应链质量,可提供世界一流的卓越性能和产品质量持久的完整性,有效防止数据丢失和损坏可靠有效的性能,通过主动淘汰持续提供预期的卓越性能通过完整的内部设计增强平台可靠性和信任度


    产品亮点   

    1、 在高密度英特尔® 3D NAND上实现最高价值

    2、 性能比 SATA 高 4.7 倍             

    3、 IOPs 一致性高达 90% 

    4、 防止 SDC 的有效性提升高达 100 倍

    接口

    PCIe NVMe 3.0 x4

    容量

    450G 1.2TB 2TB

    顺序读取(最高)

    1700 MB/s

    顺序写入(最高)

    600 MB/s

    随机读取(8GB 跨度)(最高)

    145000 IOPS

    随机写入(8GB 跨度)(最高)

    19000 IOPS

    延迟 —— 读取

    20 µs

    延迟 —— 写入

    20 µs

    震动 —— 操作

    2.17 GRMS (5-700Hz)

    震动 —— 不操作

    3.13 GRMS (5-800Hz)

    故障间的平均时间(MTBF)

    2 Million Hours

    无法纠正的位错误速率(UBER)

    1 sector per 10^17 bits read

    保修期

    5年

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